Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Mariechen Grein Groth
Infineon gewinnt Patentstreit um GaN-Technologie gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden, bei denen es um Galliumnitrid-Technologie (GaN) ging. Das Gericht stellte fest, dass das chinesische Unternehmen Innoscience patentierte GaN-Technologien von Infineon ohne Erlaubnis genutzt habe. Zudem untersagte es Innoscience, die betreffenden Produkte in Deutschland herzustellen, zu verkaufen oder zu vermarkten.
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Dies ist bereits die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in Streitigkeiten mit Infineon um Patentrechte. Sowohl deutsche als auch US-amerikanische Gerichte hatten zuvor festgestellt, dass Produkte von Innoscience gegen das geistige Eigentum von Infineon verstoßen. Das aktuelle Urteil verpflichtet Innoscience zudem, Schadensersatz an Infineon zu zahlen.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit bei Infineon, äußerte sich zu der Entscheidung. Er betonte, dass das Ergebnis die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon unterstreiche sowie das Engagement des Unternehmens für den Schutz geistigen Eigentums. GaN ist entscheidend für hochleistungsfähige, energieeffiziente Stromsysteme, die in erneuerbaren Energien, Rechenzentren, industrieller Automatisierung und Elektrofahrzeugen eingesetzt werden.
Infineon verfügt über eines der umfangreichsten GaN-Patentportfolios der Branche mit rund 450 GaN-Patentfamilien. Das Unternehmen treibt weiterhin Innovationen in der Halbleitertechnologie voran, um globale Herausforderungen wie die Dekarbonisierung und die digitale Transformation zu bewältigen.
Die Gerichtsentscheidung stärkt Infineons rechtliche Position und schränkt die Geschäftstätigkeit von Innoscience in Deutschland ein. Zudem bestätigt sie die Verpflichtung des Unternehmens, Infineon für die Patentverletzung zu entschädigen. Das Urteil unterstreicht die Bedeutung des Schutzes geistigen Eigentums für die Weiterentwicklung von Halbleiterlösungen.
